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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Optical properties of InAsSb nanostructures embedded in InGaAsSb strain reducing layer 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2011, 卷号: 43, 期号: 4, 页码: 869-873 作者:  Zhou XL;  Li TF 收藏  |  浏览/下载：31/1  |  提交时间：2011/07/05 QUANTUM DOTS  LIGHT-EMISSION  WELLS  PHOTOLUMINESCENCE   Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 501-505 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：147/24  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  quantum wells  semiconducting IIIV materials  LUMINESCENCE  GAASN   Effect of Si overgrowth on the structural and luminescence properties of Ge islands on Si(100) 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 207, 期号: 1-2, 页码: 150-153 Liu JP; Wang JZ; Huang DD; Li JP; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 QUANTUM-WELLS  PHOTOLUMINESCENCE