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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Quasi-thermo dynamic analysis of MOVPE growth of GaxAlyIn1-x-yN 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 145-152 Lu DC; Duan SK 收藏  |  浏览/下载：99/7  |  提交时间：2010/08/12 computer simulation  molecular vapor phase epitaxy  nitrides  semiconducting quaternary alloys  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  QUATERNARY ALLOYS  PHASE EPITAXY  GAN  ALINGAN   Thermodynamic analysis of GaSb-GaCl3 vapor phase epitaxy 会议论文 1st international symposium on microgravity research and applications in physical sciences and biotechnology, sorrento, italy, sep 10-15, 2000 Lu DC; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/10/29 TRANSPORT   Quasi-thermodynamic analysis of MOVPE of AlGaN 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 73-78 Lu DC; Duan S 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 AlGaN  thermodynamic  MOVPE  aluminium content  VAPOR-PHASE EPITAXY  GROWTH  NITRIDE  REGION  ALLOYS   Study on the oxygen concentration reduction in heavily Sb-doped silicon 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 196, 期号: 1, 页码: 111-114 Liu CC; Wang HM; Li YX; Wang QL; Ren BY; Xu YS; Que DL 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 heavily Sb-doped silicon  oxygen concentration  thermodynamic calculation  oxygen solubility  lattice strain   GROWTH OF WIDE-BAND GAP IMMISCIBLE II-VI ALLOYS BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY 期刊论文 journal of crystal growth, 1993, 卷号: 129, 期号: 0, 页码: 629-634 LU DC 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/11/15 THERMODYNAMIC ANALYSIS  ZNSE  PRESSURE  SEMICONDUCTORS  MOVPE  OMVPE