QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：81/5  |  提交时间：2011/07/05 Sandwich structure  Stress  Aluminum nitride  Gallium nitride  Silicon  PHONON DEFORMATION POTENTIALS  WURTZITE ALN  SILICON  STRESS  TRANSISTORS  EPITAXY  LAYERS   Influence of semi-insulating InP substrates on InAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 364-369 Dong HW; Zhao YW; Zeng YP; Jiao JH; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 diffusion  interfaces  substrates  molecular beam epitaxy  phosphides  semiconducting indium phosphide  UNDOPED SEMIINSULATING INP  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHOSPHIDE VAPOR  FE  INTERFACE  PHOTOLUMINESCENCE  WAFER  UNIFORMITY  DIFFUSION  PRESSURE   Method for measurement of lattice parameter of cubic GaN layers on GaAs (001) 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 345-348 Zheng XH; Wang YT; Feng ZH; Yang H; Chen H; Zhou JM; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 in-plane strain  lattice parameters  triple-axis diffraction  c-GaN  GROWTH  FILMS   Study of GaN thin films grown on vicinal SiC (0001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文 semiconductor science and technology, 2002, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 957-960 Lu LW; Yan H; Yang CL; Xie MH; Wang ZG; Wang J; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 PHOTOLUMINESCENCE  ENERGY   Strain relaxation of InP film directly grown on GaAs patterned compliant substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 71-76 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 dislocation  strain  molecular beam epitaxy  organometallic vapor phase epitaxy  semiconductor III-V materials  CRITICAL THICKNESS  HETEROEPITAXIAL GROWTH  LAYERS  OXIDATION  EPITAXY