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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2006 [1]
2000 [2]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
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Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD
期刊论文
journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 14-18
Fang CB
;
Wang XL
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Wang CM
;
Li JM
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浏览/下载:49/0
  |  
提交时间:2010/04/11
MOCVD
GaN
resistivity
TSC
N-TYPE GAN
DOPED GAN
SPECTROSCOPY
CARBON
FE
Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465
Gao F
;
Huang DD
;
Li JP
;
Lin YX
;
Kong MY
;
Sun DZ
;
Li JM
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:37/0
  |  
提交时间:2010/08/12
Si growth rate
P doping
PH3 flow rate
P segregation
GSMBE
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SI1-XGEX
PHOSPHORUS
SI2H6
DISILANE
SI(100)
MBE
Point defects in III-V compound semiconductors
期刊论文
defects and diffusion in semiconductors, 2000, 卷号: 183-1, 期号: 0, 页码: 85-93
Chen N
收藏
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浏览/下载:44/0
  |  
提交时间:2010/08/12
compound semiconductors
point defects
deep level centres
stoichiometry
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS SINGLE-CRYSTALS
SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE
SEMI-INSULATING GAAS
ELECTRICAL-PROPERTIES
LATTICE-PARAMETER
NATIVE DEFECTS
CARBON
DIFFRACTOMETER
STOICHIOMETRY
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