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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Bulge testing and fracture properties of plasma-enhanced chemical vapor deposited silicon nitride thin films 期刊论文 thin solid films, 2009, 卷号: 517, 期号: 6, 页码: 1989-1994 作者:  Li Y 收藏  |  浏览/下载：360/38  |  提交时间：2010/03/08 Bulge test  Fracture property  Silicon nitride  Weibull distribution function   Fracture properties of silicon carbide thin films charcterized by bulge test of long membranes 会议论文 3rd ieee international conference of nano/micro engineered and molecular systems, sanya, peoples r china, jan 06-09, 2008 Zhou, W; Yang, JL; Sun, GS; Liu, XF; Yang, FH; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/03/09 bulge test fracture property  silicon carbide thin films  Weibull distribution function   Fracture properties of silicon carbide thin films by bulge test of long rectangular membrane 期刊论文 journal of microelectromechanical systems, 2008, 卷号: 17, 期号: 2, 页码: 453-461 Zhou, W; Yang, JL; Sun, GS; Liu, XF; Yang, FH; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/03/08 bulge test  fracture property  microelectromechanical systems (MEMS)  silicon carbide (SiC) thin films  Weibull distribution function   Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 255-260 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：84/5  |  提交时间：2010/08/12 wafer bonding  cubic  GaN/GaAs(001)  Si-substrate  LIGHT-EMITTING-DIODES  P-TYPE GAN  RESISTANCE  CONTACT  LASER   Effect of rapid thermal annealing on the Raman spectrum of Si0.33Ge0.67/Si (100) alloy 会议论文 9th international symposium on nondestructive characterization of materials, sydney, australia, jun 28-jul 02, 1999 Liu JP; Kong MY; Huang DD; Li JP; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/10/29 STRAIN-SHIFT COEFFICIENTS  SI1-XGEX  SILICON  PHONONS   A study of the interface of CeO2/Si heterostructure grown by ion beam deposition 期刊论文 vacuum, 1998, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 397-401 Wu ZL; Huang DD; Yang XZ 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 X-RAY PHOTOELECTRON  EPITAXIAL-GROWTH  SILICON  SPECTROSCOPY  SURFACES  SI(111)  OXIDES  LAYERS  SI