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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74512 Lv YJ; Lin ZJ; Corrigan TD; Zhao JZ; Cao ZF; Meng LG; Luan CB; Wang ZG; Chen H 收藏  |  浏览/下载：64/6  |  提交时间：2011/07/05 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  GAN  DEPENDENCE  CONTACTS  STATES  NI   Transport properties in a gated heterostructure with a trapezoidal AlxGa1-xAs barrier layer 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 41, 期号: 8, 页码: 1379-1381 作者:  Liu J;  Zhu H 收藏  |  浏览/下载：73/2  |  提交时间：2010/03/08 HEMT  2DEG   Determination of the relative permittivity of the AlGaN barrier layer in strained AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文 chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 3980-3984 Zhao JZ; Lin ZJ; Corrigan TD; Zhang Y; Lu YJ; Lu W; Wang ZG; Chen H 收藏  |  浏览/下载：95/25  |  提交时间：2010/03/08 relative permittivity  AlGaN barrier layer  AlGaN/GaN heterostructures   Quantum-confined Stark effect and built-in dipole moment in self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 applied physics letters, 2004, 卷号: 85, 期号: 14, 页码: 2791-2793 作者:  Xu B;  Ye XL;  Jin P;  Li CM 收藏  |  浏览/下载：255/95  |  提交时间：2010/03/09 ELECTRON-HOLE ALIGNMENT   Self-consistent calculation of electronic states in asymmetric double barrier structure 期刊论文 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 1995, 卷号: 35, 期号: 0, 页码: 367-371 Song AM; Zheng HZ 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/17 electron states  RESONANT-TUNNELING STRUCTURE  SPACE-CHARGE BUILDUP  INTRINSIC BISTABILITY  PHONON-EMISSION  DEVICES  DIODE