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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [4]
会议论文 [2]
发表日期
2002 [1]
2000 [3]
1999 [1]
1998 [1]
学科主题
半导体材料 [6]
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学科主题:半导体材料
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Space-grown SI-GaAs and its application
会议论文
12th international semicoducting and insulating materials conference (simc-xii2002), smolenice, slovakia, jun 30-jul 05, 2002
Chen NF
;
Zhong XG
;
Zhang M
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/10/29
SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE
FLOATING-ZONE GROWTH
CRYSTAL-GROWTH
ZERO GRAVITY
MICROGRAVITY
SEGREGATION
STOICHIOMETRY
SILICON
DEFECTS
INSB
Semi-insulating GaAs grown in outer space
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 75, 期号: 2-3, 页码: 134-138
Chen NF
;
Zhong XR
;
Lin LY
;
Xie X
;
Zhang M
收藏
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浏览/下载:53/0
  |  
提交时间:2010/08/12
GaAs
outer space
microgravity
integrated circuit
SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE
LEC-GAAS
DEFECTS
STOICHIOMETRY
SEGREGATION
CARBON
BORON
Experimental and numerical investigations on dissolution and recrystallization processes of GaSb/InSb/GaSb under microgravity and terrestrial conditions
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 40-50
Hayakawa Y
;
Okano Y
;
Hirata A
;
Imaishi N
;
Kumagiri Y
;
Zhong X
;
Xie X
;
Yuan B
;
Wu F
;
Liu H
;
Yamaguchi T
;
Kumagawa M
收藏
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浏览/下载:45/0
  |  
提交时间:2010/08/12
microgravity
Chinese recoverable satellite
GaSb
InxGa1-xSb
dissolution
recrystallization
orientation
FLOATING-ZONE GROWTH
INXGA1-XSB CRYSTALS
GASB
MELT
INSB
DIFFUSION
SILICON
CONVECTION
STRIATION
Semi-insulating GaAs grown in outer space
会议论文
iumrs international conference of advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999
Chen NF
;
Zhong XR
;
Lin LY
;
Xie X
;
Zhang M
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/15
GaAs
outer space
microgravity
integrated circuit
SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE
LEC-GAAS
DEFECTS
STOICHIOMETRY
SEGREGATION
CARBON
BORON
Outer space grown semi-insulating GaAs and its applications
期刊论文
science in china series e-technological sciences, 1999, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: 456-461
Lin LY
;
Zhang MA
;
Zhong XG
;
Yamada M
;
Chen NF
收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/08/12
GaAs
outer-space
microgravity
integrated-circuit
DEFECTS
STOICHIOMETRY
SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE
Improvement of stoichiometry in semi-insulating gallium arsenide grown under microgravity
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 3, 页码: 586-588
Lin LY
;
Zhong XR
;
Chen NF
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/08/12
SI-GaAs
stoichiometry
microgravity
DEFECTS
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