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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The effect of AlN growth time on the electrical properties of Al0.38Ga0.62N/AlN/GaN HEMT structures 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 289, 期号: 2, 页码: 415-418 Wang CM; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Xiao HL; Li JP 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/04/11 2DEG  MOCVD  semiconducting III-V materials  HEMT  power devices  HETEROSTRUCTURES  PASSIVATION  SAPPHIRE  ALGAN  FIELD  GAS   A model for scattering due to interface roughness in finite quantum wells 期刊论文 semiconductor science and technology, 2005, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 1207-1212 作者:  Han XX 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/04/11 SINGLE-PARTICLE  ELECTRON-GAS  MOBILITY  GAAS  DISORDER