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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2006 [1]
2005 [1]
2001 [2]
学科主题
半导体材料 [4]
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学科主题:半导体材料
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Transport phenomena in radial flow MOCVD reactor with three concentric vertical inlets
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 498-508
Zuo R (Zuo Ran)
;
Zhang H (Zhang Hong)
;
Liu XL (Liu Xiang-lin)
收藏
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浏览/下载:58/0
  |  
提交时间:2010/04/11
flow recirculation
numerical modeling
reactor
transport process
MOCVD
thin film growth
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
MOVPE REACTOR
GROWTH
DESIGN
GAN
Phase-separation suppression in GaN-rich side of GaNP alloys grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2005, 卷号: 80, 期号: 1, 页码: 141-144
Chen DJ
;
Shen B
;
Bi ZX
;
Zhang KX
;
Gu SL
;
Zhang R
;
Shi, Y
;
Zheng YD
;
Sun XH
;
Wan SK
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:117/41
  |  
提交时间:2010/03/09
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Growth and characterization of GaInNAs/GaAs by plasma-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 516-520
Pan Z
;
Li LH
;
Zhang W
;
Wang XU
;
Lin YW
;
Wu RH
收藏
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浏览/下载:82/10
  |  
提交时间:2010/08/12
adsorption
characterization
radiation
molecular beam epitaxy
nitrides
SURFACE-EMITTING LASER
QUANTUM-WELLS
OPERATION
RANGE
Quality improvement of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 527-531
Li LH
;
Pan Z
;
Zhang W
;
Lin YW
;
Wang XY
;
Wu RH
收藏
  |  
浏览/下载:81/6
  |  
提交时间:2010/08/12
characterization
defects
X-ray diffraction
molecular beam epitaxy
nitrides
GAAS
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