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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer 期刊论文 journal of the electrochemical society, 2006, 卷号: 153, 期号: 7, 页码: g703-g706 作者:  Ye XL;  Xu B;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2010/04/11 GAAS  SPECTROSCOPY  PARAMETERS  TRANSPORT  LASERS  ENERGY  STATES  HOLE   Structural and photoluminescent properties of ternary Zn1-xCdxO crystal films grown on Si(111) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 1-2, 页码: 78-82 Ye ZZ; Ma DW; He JH; Huang JY; Zhao BH; Luo XD; Xu ZY 收藏  |  浏览/下载：487/1  |  提交时间：2010/08/12 characterization  crystal structure  DC sputtering  alloys  zinc compounds  semiconducting II-VI materials  THIN-FILMS  ROOM-TEMPERATURE  ULTRAVIOLET-LASER  SPRAY-PYROLYSIS  ZNO  MGXZN1-XO  EMISSION  ALLOY   Method for measurement of lattice parameter of cubic GaN layers on GaAs (001) 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 345-348 Zheng XH; Wang YT; Feng ZH; Yang H; Chen H; Zhou JM; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 in-plane strain  lattice parameters  triple-axis diffraction  c-GaN  GROWTH  FILMS