×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2009 [1]
2005 [2]
2000 [2]
1997 [1]
1994 [1]
学科主题
半导体材料 [7]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Solid source MBE growth of quantum cascade lasers
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2009, 卷号: 97, 期号: 3, 页码: 527-532
Liu FQ (Liu Feng-Qi)
;
Li L (Li Lu)
;
Wang LJ (Wang Lijun)
;
Liu JQ (Liu Junqi)
;
Zhang W (Zhang Wei)
;
Zhang QD (Zhang Quande)
;
Liu WF (Liu Wanfeng)
;
Lu QY (Lu Quanyong)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
收藏
  |  
浏览/下载:161/59
  |  
提交时间:2010/03/08
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
A novel method for positioning of InAs islands on GaAs(110)
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 537-544
作者:
Xu B
;
Jin P
收藏
  |  
浏览/下载:150/42
  |  
提交时间:2010/03/17
InAs island
Growth of a periodic InP-based heteroepitaxial structure for a quantum cascade laser
期刊论文
materials letters, 2005, 卷号: 59, 期号: 22, 页码: 2755-2758
Guo, Y
;
Liu, FQ
;
Liu, JQ
;
Li, CM
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:68/46
  |  
提交时间:2010/03/17
heteroepitaxial structure
1.35 mu m photoluminescence from In0.5Ga0.5As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy via cycled (InAs)(1)/(GaAs)(1) monolayer deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 1-2, 页码: 16-22
Wang XD
;
Niu ZC
;
Feng SL
;
Miao ZH
收藏
  |  
浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2010/08/12
MBE
AFM
PL
quantum islands
InGaAs/GaAs
strain
QUANTUM DOTS
ROOM-TEMPERATURE
GAAS
LUMINESCENCE
Growth and characterization of strained superlattices delta-GaNxAs1-x/GaAs by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 4, 页码: 648-652
Pan Z
;
Li LH
;
Lin YW
;
Zhou ZQ
;
Zhang W
;
Wang YT
;
Wu RH
收藏
  |  
浏览/下载:60/0
  |  
提交时间:2010/08/12
GaNAs/GaAs superlattice
X-ray diffraction
periodicity fluctuation
MBE
RHEED
BAND-GAP ENERGY
NITROGEN
ALLOYS
DIFFRACTION
COEFFICIENT
SOLUBILITY
OPERATION
GAAS1-XNX
GAASN
Lateral periodicity in highly-strained (GaIn)As/Ga(PAs) superlattices investigated by X-ray scattering techniques
期刊论文
nuovo cimento della societa italiana di fisica d-condensed matter atomic molecular and chemical physics fluids plasmas biophysics, 1997, 卷号: 19, 期号: 0, 页码: 377-383
Zhuang Y
;
Giannini C
;
Tapfer L
;
Marschner T
;
Stolz W
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2010/11/17
CORRELATED-INTERFACIAL-ROUGHNESS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SURFACE-MORPHOLOGY
GROWTH
MULTILAYERS
FILMS
HETEROSTRUCTURES
GAAS(100)
INGAAS
HIGH-QUALITY INGAP AND INGAP/INALP MULTIPLE-QUANTUM-WELL GROWN BY GAS-SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY
期刊论文
journal of crystal growth, 1994, 卷号: 136, 期号: 0, 页码: 306-309
YAN CH
;
SUN DZ
;
GUO HX
;
LI XB
;
ZU SR
;
HUANG YH
;
ZHENG YP
;
KONG MY
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2010/11/15
DOUBLE-HETEROSTRUCTURE
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace