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AlGaN基深紫外发光二极管和激光器关键技术研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
田迎冬
收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2016/06/01
Numerical simulation of two-dimensional electron gas characteristics of a novel (InxAl1-xN/AlN)MQWs/GaN high electron mobility transistor 期刊论文
journal of alloys and compounds, 2014, 卷号: 605, 页码: 113-117
Li, W; Wang, XL; Qu, SQ; Wang, Q; Xiao, HL; Wang, CM; Peng, EC; Hou, X; Wang, ZG
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/03/25
Influence of growth conditions on the V-defects in InGaN/GaN MQWs 期刊论文
journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 10, 页码: 103001
Ji, Panfeng; Liu, Naixin; Wei, Xuecheng; Liu, Zhe; Lu, Hongxi; Wang, Junxi; Li, Jinmin
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/06/14
MOCVD生长Al_(0.48)Gao_(0.52)N/Al_(0.54)Ga_(0.36)N多量子阱的结构和光学特性 期刊论文
光电子·激光, 2009, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 1454-1457
作者:  王保柱
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/23
Effect of an indium-doped barrier on enhanced near-ultraviolet emission from InGaN/AlGaN: In multiple quantum wells grown on Si(111) 期刊论文
nanotechnology, 2007, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: art.no.015402
Wu JJ (Wu Jiejun); Zhang GY (Zhang Guoyi); Liu XL (Liu Xianglin); Zhu QS (Zhu Qinsheng); Wang ZG (Wang Zhanguo); Jia QJ (Jia Quanjie); Guo LP (Guo Liping)
收藏  |  浏览/下载：122/0  |  提交时间：2010/03/29
High-quality multiple quantum wells selectively grown with tapered masks by ultra-low-pressure MOCVD 期刊论文
optical materials, 2006, 卷号: 28, 期号: 8-9, 页码: 1037-1040
作者:  Pan JQ
收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/04/11
渐变掩蔽图形超低压选择区域生长法制备高质量InGaAsP多量子阱材料 期刊论文
物理学报, 2006, 卷号: 55, 期号: 6, 页码: 2982-2985
作者:  潘教青;  王圩
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23
Effect of the ratio of TMIn flow to group III flow on the properties of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文
acta physica sinica, 2004, 卷号: 53, 期号: 8, 页码: 2467-2471
Zhang, JC; Wang, JF; Wang, YT; Hui, Y
收藏  |  浏览/下载：140/36  |  提交时间：2010/03/09
Evolution from point defects to arsenic clusters in low-temperature grown GaAs/AlGaAs multiple quantum wells 期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 4, 页码: 355-359
Zhang MH; Han YJ; Zhang YH; Huang Q; Bao CL; Wang WX; Zhou JM; Lu LW
收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2010/08/12
GSMBE growth and characterization of InxGa1-xAs/InP strained-layer MQWs in a P-i-N configuration 期刊论文
journal of crystal growth, 1997, 卷号: 175, 期号: 0, 页码: 1254-1258
Wang XL; Sun DZ; Kong MY; Hou X; Zeng YP
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/17

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