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半导体研究所 [19]
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共19条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
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Comparative study of electrical characteristics for n-type 4H–SiC planar and trench MOS capacitors annealed in ambient NO
期刊论文
Chinese Physics B, 2017, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 107101
作者:
Zhan-Wei Shen
;
Feng Zhang
;
Sima Dimitrijev
;
Ji-Sheng Han
;
Guo-Guo Yan
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2018/06/15
Photon wavelength dependent valley photocurrent in multilayer MoS2
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2017, 卷号: 96, 页码: 241304
作者:
Hongming Guan
;
Ning Tang
;
Xiaolong Xu
;
LiangLiang Shang
;
Wei Huang
收藏
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浏览/下载:167/0
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提交时间:2018/05/23
AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
赵勇兵
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2016/06/01
AlGaN/GaN HFET
特征导通电阻
击穿电压
增强型器件
阈值电压
Enhanced rectification, transport property and photocurrent generation of multilayer ReSe2/MoS2p–n heterojunctions
期刊论文
Nano Research, 2016, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 507-516
Xiaoting Wang
;
Le Huang
;
Yuting Peng
;
Nengjie Huo
;
Kedi Wu
;
Congxin Xia
;
Zhongming Wei
;
Sefaattin Tongay
;
Jingbo Li
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2017/03/10
Interlayer Transition and Infrared Photodetection in Atomically Thin Type-II MoTe2/MoS2 van der Waals Heterostructures
期刊论文
acs nano., 2016, 卷号: 10, 期号: 3, 页码: 3852−3858
Kenan Zhang
;
Tianning Zhang
;
Guanghui Cheng
;
Tianxin Li
;
Shuxia Wang
;
Wei Wei
;
Xiaohao Zhou
;
Weiwei Yu
;
Yan Sun
;
Peng Wang
;
Dong Zhang
;
Changgan Zeng
;
Xingjun Wang
;
Weida Hu
;
Hong Jin Fan
;
Guozhen Shen
;
Xin Chen
;
Xiangfeng Duan
;
Kai Chang
;
Ning Dai
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2017/03/10
Co-Nucleus 1D/2D Heterostructures with Bi2S3 Nanowire and MoS2 Monolayer:One-Step Growth and Its Defect-Induced Formation Mechanism
期刊论文
ACS Nano, 2016, 卷号: 10, 页码: 8938−8946
Yongtao Li
;
Le Huang
;
Bo Li
;
Xiaoting Wang
;
Ziqi Zhou
;
Jingbo Li
;
Zhongming Wei
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2017/03/10
Fermi-Level Pinning at Metal/High-k Interface Influenced by Electron State Density of Metal Gate
期刊论文
ieee electron device letters, 2010, 卷号: 31, 期号: 10, 页码: 1101-1103
Yang ZC (Yang Z. C.)
;
Huang AP (Huang A. P.)
;
Zheng XH (Zheng X. H.)
;
Xiao ZS (Xiao Z. S.)
;
Liu XY (Liu X. Y.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Chu PK (Chu Paul K.)
;
Wang WW (Wang W. W.)
收藏
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2010/11/14
Electron state density
Fermi-level pinning (FLP)
MIS structures
work function (WF)
WORK FUNCTION
Intersubband absorption energy shifts in 3-level system for asymmetric quantum well terahertz emitters
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 8, 页码: art. no. 083112
Song YF (Song Yafeng)
;
Lu YW (Lu Yanwu)
;
Zhang BA (Zhang Biao)
;
Xu XQ (Xu Xiaoqing)
;
Wang J (Wang Jun)
;
Guo Y (Guo Yan)
;
Shi K (Shi Kai)
;
Li ZW (Li Zhiwei)
;
Liu XL (Liu Xianglin)
;
Yang SY (Yang Shaoyan)
;
Zhu QS (Zhu Qinsheng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/12/05
OPTICAL PHONON ENERGY
INVERSION-LAYERS
TRANSITIONS
RELAXATION
LASERS
STATES
Homoepitaxial growth and MOS structures of 4H-SiC on off oriented n-type (0001)Si-faces
会议论文
7th international conference on solid-state and integrated circuits technology, beijing, peoples r china, oct 18-21, 2004
Sun, GS
;
Ning, J
;
Zhang, YX
;
Gao, X
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:206/60
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提交时间:2010/03/29
4H-SiC
LPCVD homoepitaxial growth
thermal oxidization
MOS structures
HOT-WALL CVD
新型硅基双异质外延SOI材料Si/γ-Al_2O_3/Si制备
期刊论文
功能材料与器件学报, 2003, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 300-304
作者:
王俊
;
王俊
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/11/23
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