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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2000 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
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学科主题:半导体材料
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X-ray double-crystal characterization of the strain relaxation in GaAs/GaNxAs1-x/GaAs(001) sandwiched structures
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 1-2, 页码: 26-32
Pan Z
;
Wang YT
;
Li LH
;
Zhang W
;
Lin YW
;
Zhou ZQ
;
Wu RH
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提交时间:2010/08/12
x-ray diffraction
strain relaxation
GaNxAs1-x/GaAs
photoluminescence
RHEED
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
TEMPERATURE PULSED OPERATION
BAND-GAP ENERGY
NITROGEN
GAASN
GANXAS1-X
GAAS1-XNX
ALLOYS
LASERS
LAYERS
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