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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2011 [2]
2000 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
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High-Performance4H-SiC-based metal-insulator-semiconductor ultraviolet photodetectors with SiO2 and Al2O3SiO2 Films
期刊论文
ieee electron device letters, 2011, 卷号: 32, 期号: 12, 页码: 1722-1724
Zhang, Feng
;
Sun, Guosheng
;
Huang, Huolin
;
Wu, Zhengyun
;
Wang, Lei
;
Zhao, Wanshun
;
Liu, Xingfang
;
Yan, Guoguo
;
Zheng, Liu
;
Dong, Lin
;
Zeng, Yiping
收藏
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提交时间:2012/06/14
Integrated circuits
Metal insulator boundaries
Photodetectors
Semiconducting silicon compounds
Semiconductor insulator boundaries
Silicon carbide
High-Performance 4H-SiC-Based Metal-Insulator-Semiconductor Ultraviolet Photodetectors With SiO(2) and Al(2)O(3)/SiO(2) Films
期刊论文
ieee electron device letters, 2011, 卷号: 32, 期号: 12, 页码: 1722-1724
Zhang F (Zhang Feng)
;
Sun GS (Sun Guosheng)
;
Huang HL (Huang Huolin)
;
Wu ZY (Wu Zhengyun)
;
Wang L (Wang Lei)
;
Zhao WS (Zhao Wanshun)
;
Liu XF (Liu Xingfang)
;
Yan GG (Yan Guoguo)
;
Zheng L (Zheng Liu)
;
Dong L (Dong Lin)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/02/22
Fabrication and characterization of metal-semiconductor-metal (MSM) ultraviolet photodetectors on undoped GaN/sapphire grown by MBE
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 1, 页码: 1-6
Xu HZ
;
Wang ZG
;
Kawabe M
;
Harrison I
;
Ansell BJ
;
Foxon CT
收藏
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浏览/下载:60/0
  |  
提交时间:2010/08/12
GaN
photoluminescence
optical quenching of photoconductivity
native defect level
molecular beam epitaxy
SINGLE-CRYSTAL GAN
I-N PHOTODIODES
HIGH-SPEED
PHOTOCONDUCTORS
ALXGA1-XN
SIMULATIONS
DETECTORS
SAPPHIRE
LAYERS
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