QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation on the origin of crystallographic tilt in lateral epitaxial overgrown GaN using selective etching 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 368-372 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  etching  metalorganic vapor-phase epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  FILMS  DISLOCATIONS  DENSITY  GROWTH  LAYERS   Triclinic deformation and anisotropic strain relaxation of an InAs film on a GaAs(001) substrate measured by a series of symmetric double crystal X-ray diffraction 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 4, 页码: 627-630 Wang HM; Zeng YP; Zhou HW; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HALL ELEMENTS  GAAS  MISORIENTATION  DISTORTION  LAYERS  MBE  SI  HETEROSTRUCTURES  GROWTH