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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2011 [1]
2009 [1]
2002 [1]
2000 [1]
学科主题
半导体材料 [4]
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学科主题:半导体材料
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Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467
作者:
Pan X
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浏览/下载:81/5
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提交时间:2011/07/05
Sandwich structure
Stress
Aluminum nitride
Gallium nitride
Silicon
PHONON DEFORMATION POTENTIALS
WURTZITE ALN
SILICON
STRESS
TRANSISTORS
EPITAXY
LAYERS
Well-width dependence of in-plane optical anisotropy in (001) GaAs/AlGaAs quantum wells induced by in-plane uniaxial strain and interface asymmetry
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 10, 页码: art. no. 103108
作者:
Xu B
;
Ye XL
收藏
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浏览/下载:69/0
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
gallium arsenide
III-V semiconductors
internal stresses
reflectivity
semiconductor heterojunctions
semiconductor quantum wells
Study on pollution for the photoelectronic material InP
期刊论文
spectroscopy and spectral analysis, 2002, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 550-551
Xu JC
;
Ding XP
;
Chen DQ
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/08/12
mass spectrum analysis
photoluminescence
electron concentration
electron mobility
Experimental and numerical investigations on dissolution and recrystallization processes of GaSb/InSb/GaSb under microgravity and terrestrial conditions
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 40-50
Hayakawa Y
;
Okano Y
;
Hirata A
;
Imaishi N
;
Kumagiri Y
;
Zhong X
;
Xie X
;
Yuan B
;
Wu F
;
Liu H
;
Yamaguchi T
;
Kumagawa M
收藏
  |  
浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
microgravity
Chinese recoverable satellite
GaSb
InxGa1-xSb
dissolution
recrystallization
orientation
FLOATING-ZONE GROWTH
INXGA1-XSB CRYSTALS
GASB
MELT
INSB
DIFFUSION
SILICON
CONVECTION
STRIATION
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