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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Correlation Between Lattice Strain and Energy Gap Bowing of AlxGa1-xN Epitaxial Thin Films 会议论文 international materials research conference, chongqing, peoples r china, jun 09-12, 2008 作者:  Sun BJ;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/03/09 AlxGa1-xN   Gap states and microstructure of microcrystalline silicon thin films 期刊论文 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 8, 页码: 5716-5720 Peng WB; Liu SY; Xiao HB; Zhang CS; Shi MJ; Zeng XB; Xu YY; Kong GL; Yu YD 收藏  |  浏览/下载：86/3  |  提交时间：2010/03/08 gap states  grain boundary  microcrystalline silicon  modulated photocurrent   The effect of interposing nanocrystalline Si(B) P plus layer on the photovoltaic properties of a-Si: H tandem solar cells 会议论文 solar world congress of the international-solar-energy-society, beijing, peoples r china, sep 18-21, 2007 Shi, MJ; Wang, ZG; Zhang, C; Peng, WB; Zeng, XB; Diao, HW; Kong, GL; Liao, XB 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/03/09 High-precision determination of lattice constants and structural characterization of InN thin films 期刊论文 journal of vacuum science & technology a, 2006, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 275-279 Wu MF; Zhou SQ; Vantomme A; Huang Y; Wang H; Yang H 收藏  |  浏览/下载：108/0  |  提交时间：2010/04/11 X-RAY-DIFFRACTION  BAND-GAP  EPITAXIAL LAYERS  INDIUM NITRIDE  HEXAGONAL INN  CUBIC INN  GROWTH  PARAMETERS  INGAN  PHASE   Effect of In-mole-fraction in InGaAs overgrowth layer on self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 193-197 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  InGaAs overgrowth layer  photoluminescence  molecular beam epitaxy  1.3 MU-M  ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE LINEWIDTH  EMISSION  LASERS  ENERGY   ELECTRON-STATES OF A STACKING-FAULT RIBBON IN SILICON 期刊论文 solid state communications, 1994, 卷号: 92, 期号: 12, 页码: 987-989 LEHTO N; MARKLUND S; WANG YL 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/11/15 DISLOCATIONS  GERMANIUM  DISSOCIATION  ENERGY