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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 766-769 Gao F; Lin YX; Huang DD; Li JP; Sun DZ; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：97/14  |  提交时间：2010/08/12 annealing  molecular beam epitaxy  germanium silicon alloys  semiconducting materials  STRAIN RELAXATION   Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Gao F; Lin YX; Huang DD; Li JP; Sun DZ; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/15 annealing  molecular beam epitaxy  germanium silicon alloys  semiconducting materials  STRAIN RELAXATION