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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fermi-Level Pinning at Metal/High-k Interface Influenced by Electron State Density of Metal Gate 期刊论文 ieee electron device letters, 2010, 卷号: 31, 期号: 10, 页码: 1101-1103 Yang ZC (Yang Z. C.); Huang AP (Huang A. P.); Zheng XH (Zheng X. H.); Xiao ZS (Xiao Z. S.); Liu XY (Liu X. Y.); Zhang XW (Zhang X. W.); Chu PK (Chu Paul K.); Wang WW (Wang W. W.) 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2010/11/14 Electron state density  Fermi-level pinning (FLP)  MIS structures  work function (WF)  WORK FUNCTION   Electronic properties of sulfur passivated undoped-n(+) type GaAs surface studied by photoreflectance 期刊论文 applied surface science, 2003, 卷号: 218, 期号: 1-4, 页码: 210-214 作者:  Jin P 收藏  |  浏览/下载：459/3  |  提交时间：2010/08/12 sulfur passivation  Franz-Keldysh oscillations  undoped-n(+) type GaAs  complex Fourier transformation  FRANZ-KELDYSH OSCILLATIONS  GAAS(001) SURFACES  GAAS(100)  PHOTOEMISSION  SPECTROSCOPY  ENHANCEMENT