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科研机构
半导体研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [6]
会议论文 [2]
发表日期
2006 [1]
2004 [2]
2003 [1]
2002 [1]
2001 [1]
1997 [1]
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学科主题
半导体材料 [8]
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学科主题:半导体材料
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Biaxial stress dependence of the electrostimulated near-band-gap spectrum of GaN epitaxial film grown on (0001) sapphire substrate
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 25, 页码: art.no.251910
Wan KS (Wan Keshu)
;
Porporati AA (Porporati Alessandro Alan)
;
Feng G (Feng Gan)
;
Yang H (Yang Hui)
;
Pezzotti G (Pezzotti Giuseppe)
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/04/11
NITRIDE
Microstructural and compositional characteristics of GaN films grown on a ZnO-buffered Si(111) wafer
期刊论文
micron, 2004, 卷号: 35, 期号: 6, 页码: 475-480
Luo, XH
;
Wang, RM
;
Zhang, XP
;
Zhang, HZ
;
Yu, DP
;
Luo, MC
收藏
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浏览/下载:145/32
  |  
提交时间:2010/03/09
transmission electron microscopy
electron energy loss spectroscopy
molecular beam epitaxy
gallium nitride
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
EPITAXY
LAYER
Microstructural and compositional characteristics of GaN films grown on a ZnO-buffered Si(111) wafer
会议论文
international wuhan symposium on advanced electron microscopy (iwsaem), wuhan, peoples r china, oct 17-21, 2003
Luo XH
;
Wang RM
;
Zhang XP
;
Zhang HZ
;
Yu DP
;
Luo MC
收藏
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浏览/下载:18/1
  |  
提交时间:2010/10/29
transmission electron microscopy
electron energy loss spectroscopy
molecular beam epitaxy
gallium nitride
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
EPITAXY
LAYER
Fabrication of novel double-hetero-epitaxial SOT structure Si/gamma-Al2O3/Si
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 3-4, 页码: 255-260
Tan LW
;
Wang QY
;
Wang J
;
Yu YH
;
Liu ZL
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/08/12
heteroepitaxial growth
gamma-Al2O3
silicon
silicon on insulator
FILMS
SI
DEPOSITION
AL2O3
Heteroepitaxial growth of novel SOI material Si/gamma-Al2O3/Si
会议论文
symposium on silicon-based heterostructure materials held at the 8th iumrs international conference on electronic materials (iumrs-icem2002), xian, peoples r china, jun 10-14, 2002
Wang QY
;
Tan LW
;
Wang J
;
Yu YH
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/15
Comprehensive analysis of microtwins in the 3C-SiC films on Si(001) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 40-44
Zheng XH
;
Qu B
;
Wang YT
;
Dai ZZ
;
Han JY
;
Yang H
;
Liang JW
收藏
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浏览/下载:98/10
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提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
chemical vapor deposition processes
silicon carbide
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
GROWTH
GAN
SI
DEFECTS
EPITAXY
LAYERS
MBE
Properties of cubic GaN grown by MBE
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 1997, 卷号: 43, 期号: 0, 页码: 215-221
Brandt O
;
Yang H
;
Mullhauser JR
;
Trampert A
;
Ploog KH
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/17
cubic gallium arsenide film
molecular beam epitaxy
photoluminescence
transmission electron microscopy
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GALLIUM NITRIDE
GAAS
A new structure of In-based ohmic contacts to n-type GaAs
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 1996, 卷号: 62, 期号: 3, 页码: 241-245
Ding SA
;
Hsu CC
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/17
MICROSTRUCTURE
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