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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photoluminescence and capacitance transients in highly Mg-doped GaN 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2002, 卷号: 75, 期号: 3, 页码: 441-444 Lu L; Yang CL; Yan H; Yang H; Wang Z; Wang J; Ge W 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/08/12 P-TYPE GAN  BAND  LUMINESCENCE  ZNSE   Evolution from point defects to arsenic clusters in low-temperature grown GaAs/AlGaAs multiple quantum wells 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 4, 页码: 355-359 Zhang MH; Han YJ; Zhang YH; Huang Q; Bao CL; Wang WX; Zhou JM; Lu LW 收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2010/08/12 LT-GaAs  LT MQWs  defect  photoluminescence  electroabsorption  SPATIAL LIGHT MODULATORS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS  RECOMBINATION  DYNAMICS   Donor acceptor pair in molecular beam epitaxy grown GaN 期刊论文 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 1997, 卷号: 43, 期号: 0, 页码: 242-245 Ren GB; Dewsnip DJ; Lacklison DE; Orton JW; Cheng TS; Foxon CT 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/17 donor acceptor pair  GaN  molecular beam epitaxy  photoluminescence  shallow acceptor  GAAS  LUMINESCENCE  CD   RADIATIVE RECOMBINATION IN N-TYPE AND P-TYPE GAAS COMPENSATED WITH LI 期刊论文 journal of applied physics, 1993, 卷号: 74, 期号: 12, 页码: 7275-7287 GISLASON HP; YANG BH; PETURSSON J; LINNARSSON M 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/15 IMPLANTED GAAS  EMISSION