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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Origin of flat-band voltage sharp roll-off in metal gate/high-k/ultrathin- SiO2/Si p-channel metal-oxide-semiconductor stacks 期刊论文 applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 13, 页码: art. no. 132908 Zheng XH (Zheng X. H.); Huang AP (Huang A. P.); Xiao ZS (Xiao Z. S.); Yang ZC (Yang Z. C.); Wang M (Wang M.); Zhang XW (Zhang X. W.); Wang WW (Wang W. W.); Chu PK (Chu Paul K.) 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/14 OXYGEN  GATE  DIFFUSION  FILMS   XPS depth profiling study of n/TCO interfaces for p-i-n amorphous silicon solar cells 期刊论文 applied surface science, 2006, 卷号: 253, 期号: 3, 页码: 1677-1682 Sheng SR (Sheng Shuran); Hao HY (Hao Huiying); Diao HW (Diao Hongwei); Zeng XB (Zeng Xiangbo); Xu Y (Xu Ying); Liao XB (Liao Xianbo); Monchesky TL (Monchesky Theodore L.) 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/03/29 amorphous silicon   Growth of crack-free GaN films on Si(111) substrate by using Al-rich AlN buffer layer 期刊论文 journal of applied physics, 2004, 卷号: 96, 期号: 9, 页码: 4982-4988 Lu Y; Cong GW; Liu XL; Lu DC; Zhu QS; Wang XH; Wu JJ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：78/29  |  提交时间：2010/03/09 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   A new structure of In-based ohmic contacts to n-type GaAs 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 1996, 卷号: 62, 期号: 3, 页码: 241-245 Ding SA; Hsu CC 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/17 MICROSTRUCTURE   Aggregation and precipitation in high dose as ion implanted Ge0.5Si0.5 alloy 期刊论文 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1996, 卷号: 119, 期号: 4, 页码: 510-514 Fan TW; Zou LF; Wang ZG; Hemment PLF; Greaves SJ; Watts JF 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/17 ELECTRICAL-PROPERTIES  SI0.5GE0.5 ALLOY  LAYERS  HETEROSTRUCTURES  SB  SUPERLATTICES  DIFFUSION  REGROWTH  SILICON  SI