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科研机构
半导体研究所 [6]
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会议论文 [2]
发表日期
2009 [1]
2004 [1]
2003 [1]
2002 [1]
1994 [1]
1993 [1]
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学科主题
半导体材料 [6]
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学科主题:半导体材料
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Chemical etching of a GaSb crystal incorporated with Mn grown by the Bridgman method under microgravity conditions
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 47-51
Chen Xiaofeng
;
Chen Nuofu
;
Wu Jinliang
;
Zhang Xiulan
;
Chai Chunlin
;
Yu Yude
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/11/23
High-performance quantum-dot superluminescent diodes
期刊论文
ieee photonics technology letters, 2004, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 27-29
作者:
Xu B
;
Jin P
收藏
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浏览/下载:68/29
  |  
提交时间:2010/03/09
crystal growth
Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth
会议论文
iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002
Zhang ZC
;
Ren BY
;
Chen YH
;
Yang SY
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2010/11/15
Czochralski method
growth from melt
semiconductor silicon
argon gas flow
computer simulation
oxygen content
FURNACE PRESSURE
Space-grown SI-GaAs and its application
会议论文
12th international semicoducting and insulating materials conference (simc-xii2002), smolenice, slovakia, jun 30-jul 05, 2002
Chen NF
;
Zhong XG
;
Zhang M
;
Lin LY
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2010/10/29
SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE
FLOATING-ZONE GROWTH
CRYSTAL-GROWTH
ZERO GRAVITY
MICROGRAVITY
SEGREGATION
STOICHIOMETRY
SILICON
DEFECTS
INSB
DEEP CENTER SCATTERING POTENTIAL IN INGAP
期刊论文
journal of applied physics, 1994, 卷号: 76, 期号: 11, 页码: 7410-7414
ZHU QS
;
HIRAMATSU K
;
SAWAKI N
;
AKASAKI I
;
LIU XN
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/15
SEMICONDUCTORS
DEFECTS
VACANCY
SILICON
LEVEL
LPE
FIELD-EFFECT ON THERMAL EMISSION FROM THE 0.40 EV ELECTRON LEVEL IN INGAP
期刊论文
journal of applied physics, 1993, 卷号: 73, 期号: 2, 页码: 771-774
ZHU QS
;
HIRAMATSU K
;
SAWAKI N
;
AKASAKI I
;
LIU XN
收藏
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浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2010/11/15
LIQUID-PHASE EPITAXY
100 GAAS
TRANSIENT SPECTROSCOPY
OPTICAL-PROPERTIES
SEMICONDUCTORS
SILICON
VACANCY
DEFECTS
TRAPS
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