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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electrical transport properties of the Si-doped cubic boron nitride thin films prepared by in situ cosputtering 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 2, 页码: article no.23716 作者:  Yin ZG;  Zhang XW;  Tan HR;  Fan YM;  Zhang SG 收藏  |  浏览/下载：42/3  |  提交时间：2011/07/05 HIGH-PRESSURE SYNTHESIS  VAPOR-DEPOSITION  NUCLEATION  EMISSION  DIAMOND  GROWTH   Effects of silicon incorporation on composition, structure and electric conductivity of cubic boron nitride thin films 期刊论文 diamond and related materials, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: 1371-1376 Ying J (Ying J.); Zhang XW (Zhang X. W.); Fan YM (Fan Y. M.); Tan HR (Tan H. R.); Yin ZG (Yin Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/12/28 Cubic boron nitride  Doping  Ion beam assisted deposition  X-ray photoelectron spectroscopy  RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY  VAPOR-DEPOSITION  SI  NUCLEATION  GROWTH   Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD 期刊论文 journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 14-18 Fang CB; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Wang CM; Li JM 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 MOCVD  GaN  resistivity  TSC  N-TYPE GAN  DOPED GAN  SPECTROSCOPY  CARBON  FE