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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Doping during low-temperature growth of materials for n-p-n Si/SiGe/Si heterojuction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 322-326 Liu JP; Huang DD; Li JP; Lin YX; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：70/14  |  提交时间：2010/08/12 n-type doping  p-type doping  Si/SiGe  HBT  GSMBE  SI   The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460 Gao F; Huang DD; Li JP; Lin YX; Kong MY; Li JM; Zeng YP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：89/0  |  提交时间：2010/08/12 GSMBE  SiGe alloy  doping  SIMS  HBT  current gain  SI