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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Improvement of amorphous silicon n-i-p solar cells by incorporating double-layer hydrogenated nanocrystalline silicon structure 期刊论文 journal of non-crystalline solids, 2011, 卷号: 357, 期号: 1, 页码: 121-125 作者:  Wang C 收藏  |  浏览/下载：69/3  |  提交时间：2011/07/05 Hydrogenated nanocrystalline silicon  Buffer layer  i/p interface  Solar cells  OPEN-CIRCUIT VOLTAGE  A-SI-H  P/I-INTERFACE  MICROCRYSTALLINE SILICON  VAPOR-DEPOSITION  FILMS  CAPACITANCE  EFFICIENCY  CRYSTALLINE  TEMPERATURE   Hydrogenated p-type nanocrystalline silicon in amorphous silicon solar cells 期刊论文 journal of non-crystalline solids, 2006, 卷号: 352, 期号: 9-20, 页码: 1900-1903 Hu ZH (Hu Zhihua); Liao XB (Liao Xianbo); Diao HW (Diao Hongwei); Cai Y (Cai Yi); Zhang SB (Zhang Shibin); Fortunato E (Fortunato Elvira); Martins R (Martins Rodrigo) 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/04/11 silicon  solar cells  photovoltaics  Raman scattering  MICROCRYSTALLINE SILICON  SI NANOCRYSTALS  VOLUME FRACTION  RAMAN  CRYSTALLINITY  FILMS   Effects of the crystal structure on electrical and optical properties of pyrite FeS2 films prepared by thermally sulfurizing iron films 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 230-238 Wan DY; Wang YT; Wang BY; Ma CX; Sun H; Wei L 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 crystal structure  sulfidation of iron films  iron pyrite films  semiconducting materials  solar cells  THIN-FILMS  ELECTRODEPOSITION  ATMOSPHERE  PRESSURE   Structural and optical changes in GaAs/InAs/GaAs structure induced by thermal annealing 会议论文 5th international conference on solid-state and integrated circuit technology, beijing, peoples r china, oct 21-23, 1998 Mo QW; Fan TW; Gong Q; Wu J; Wang ZG; Bai YQ; Zhang W 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/10/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  COHERENT ISLANDS  GAAS  GROWTH  DOTS  DISLOCATIONS  TEMPERATURE  MECHANISMS  SI(001)  INGAAS   GROWTH OF HIGH-QUALITY GALLIUM-ARSENIDE ON HF-ETCHED SILICON (001) BY CHEMICAL BEAM EPITAXY 期刊论文 applied physics letters, 1993, 卷号: 62, 期号: 14, 页码: 1653-1655 XING YR; JAMAL Z; JOYCE TB; BULLOUGH TJ; KIELY CJ; GOODHEW PJ 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15 MOLECULAR-BEAM  TEMPERATURE  SI