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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Characterization of self-organized InAs/GaAs quantum dots under strain-induced and temperature-controlled nucleation mechanisms by atomic force microscopy and photoluminescence spectroscopy 会议论文 2nd ieee international nanoelectronics conference, shanghai, peoples r china, mar 24-27, 2008 Liang, LY; Ye, XL; Jin, P; Chen, YH; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/03/09 INDUCED REFRACTIVE-INDEX  GROWTH  LASERS  GAAS   A novel application to quantum dot materials to the active region of superluminescent diodes 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 25-29 作者:  Li CM;  Xu B;  Jin P;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  quantum dots  strain  molecular beam epitaxy  superluminescent diodes  1.3 MU-M  HIGH-POWER  INTEGRATED ABSORBER  INAS ISLANDS  SPECTRUM  WINDOW  LAYER  SIZE   CONVERGENT-BEAM ELECTRON-DIFFRACTION STUDY OF GE0.5SI0.5/SI STRAINED-LAYER SUPERLATTICES GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY 期刊论文 philosophical magazine letters, 1991, 卷号: 63, 期号: 2, 页码: 79-85 DUAN XF; FUNG KK; CHU YM; SHENG C; ZHOU GL 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 MULTILAYERS  HETEROSTRUCTURES