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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Quasi-thermo dynamic analysis of MOVPE growth of GaxAlyIn1-x-yN 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 145-152 Lu DC; Duan SK 收藏  |  浏览/下载：99/7  |  提交时间：2010/08/12 computer simulation  molecular vapor phase epitaxy  nitrides  semiconducting quaternary alloys  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  QUATERNARY ALLOYS  PHASE EPITAXY  GAN  ALINGAN   Structural characterization of SiGe/Si single wells grown by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy with varied disilane cracking temperature 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 194, 期号: 3-4, 页码: 426-429 Liu JP; Kong MY; Huang DD; Li JP; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  SiGe/Si  disilane cracking  dynamic simulation  PHOTOLUMINESCENCE  SILICON  LAYERS  SI2H6  DISORDERED SUPERLATTICES