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Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar GaN on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157
作者:  Wei TB;  Wei XC;  Duan RF
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Growth of nonpolar a-plane GaN on nano-patterned r-plane sapphire substrates 期刊论文
applied surface science, 2009, 卷号: 255, 期号: 6, 页码: 3664-3668
Gao HY; Yan FW; Zhang Y; Li JM; Zeng YP; Wang JX
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