CORC

在结果中检索

CORC

浏览/检索结果: 共33条，第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
常关型GaN HEMT器件制备研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
黄宇亮
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2016/06/06
Analysis of GaN cap layer effecting on critical voltage for electrical degradation of AlGaN/GaN HEMT 期刊论文
european physical journal-applied physics, 2014, 卷号: 68, 期号: 1, 页码: 10105
Qu, SQ; Wang, XL; Xiao, HL; Wang, CM; Jiang, LJ; Feng, C; Chen, H; Yin, HB; Yan, JD; Peng, EC; Kang, H; Wang, ZG; Hou, X
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/03/20
A Double-Gate AlGaN/GaN HEMT With Improved Dynamic Performance 期刊论文
ieee electron device letters, 2013, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 747-749
Yu, Guohao; Cai, Yong; Wang, Yue; Dong, Zhihua; Zeng, Chunhong; Zhao, Desheng; Qin, Hua; Zhang, Baoshun
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/08/27
AlGaN/GaN HEMT 电力电子器件制备与性能研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
林德峰
收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2013/06/20
AlGaN/GaN HEMT 电流崩塌研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
万晓佳
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/06/24
Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics 期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74512
Lv YJ; Lin ZJ; Corrigan TD; Zhao JZ; Cao ZF; Meng LG; Luan CB; Wang ZG; Chen H
收藏  |  浏览/下载：64/6  |  提交时间：2011/07/05
Influence of thermal stress on the characteristic parameters of AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts 期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: article no.47105
Lu YJ; Lin ZJ; Zhang Y; Meng LG; Cao ZF; Luan CB; Chen H; Wang ZG
收藏  |  浏览/下载：56/2  |  提交时间：2011/07/05
The influence of the InGaN back-barrier on the properties of Al(0.3)Ga(0.7)N/AlN/GaN/InGaN/GaN structure 期刊论文
european physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 10102
Bi Y; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Peng EC; Lin DF; Feng C; Jiang LJ
收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2012/01/06
The influence of the 1st AlN and the 2nd GaN layers on properties of AlGaN/2nd AlN/2nd GaN/1st AlN/1st GaN structure 期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 1211-1216
作者:  Bi Y;  Lin DF;  Peng EC
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2011/09/14
高击穿电压AlGaN/GaN HEMT电力开关器件研究进展 期刊论文
半导体技术, 2010, 卷号: 35, 期号: 5, 页码: 417-422
作者:  张明兰
收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2011/08/16

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace