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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2005 [1]
2003 [2]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
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Epitaxial SiC grown on silicon-on-insulator substrate with ultra-thin silicon-over-layer
期刊论文
thin solid films, 2005, 卷号: 484, 期号: 1-2, 页码: 261-264
Huang FY
;
Wang XF
;
Sun GS
;
Zhao WS
;
Zeng YP
;
Bian EL
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浏览/下载:39/13
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提交时间:2010/03/17
silicon carbide
Strain accommodation of 3C-SiC grown on hydrogen-implanted Si (001) substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 257, 期号: 3-4, 页码: 321-325
作者:
Li DB
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2010/08/12
substrate
heteroepitaxy
low pressure chemical vapor deposition
semiconducting silicon carbide
COMPLIANT SUBSTRATE
CRITICAL THICKNESS
SILICON
RELAXATION
MECHANISM
DEFECTS
LAYERS
Effect of a low-temperature thin buffer layer on the strain accommodation of In0.25Ga0.75As grown on a GaAs(001) substrate
期刊论文
semiconductor science and technology, 2003, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 955-959
作者:
Xu B
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2010/08/12
RELAXATION
SI
HETEROSTRUCTURES
KINETICS
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