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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 In-plane stray field induced spin-filtering in a two-dimensional electron gas under the modulation of surface ferromagnetic dual-gate 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: art. no. 073703 Wang Y (Wang Y.); Jiang Y (Jiang Y.); Zhang XW (Zhang X. W.); Yin ZG (Yin Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/14 BARRIER STRUCTURE  MAGNETIC-FIELD  POLARIZATION  CONDUCTANCE  DEVICE   The two- to three-dimensional growth transition of InAs/GaAs epitaxy layer studied by reflectance difference spectroscopy 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 8, 页码: art. no. 083513 Zhou GY (Zhou G. Y.); Chen YH (Chen Y. H.); Tang CG (Tang C. G.); Liang LY (Liang L. Y.); Jin P (Jin P.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/12/05 QUANTUM-DOT SYSTEM  ISLAND FORMATION  IN-SITU  EVOLUTION  GAAS  PHOTOLUMINESCENCE   Influence of different interlayers on growth mode and properties of InN by MOVPE 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 238-241 Zhang, RQ; Liu, XL; Kang, TT; Hu, WG; Yang, SY; Jiao, CM; Zhu, QS 收藏  |  浏览/下载：52/3  |  提交时间：2010/03/08 DEFECT STRUCTURE  EPITAXIAL GAN  BAND-GAP   Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 255-260 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：84/5  |  提交时间：2010/08/12 wafer bonding  cubic  GaN/GaAs(001)  Si-substrate  LIGHT-EMITTING-DIODES  P-TYPE GAN  RESISTANCE  CONTACT  LASER   The growth of an AlGaN/GaN modulation-doped heterostructure by NH3 source molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 1-2, 页码: 93-96 Zhang JP; Sun DZ; Li XB; Wang XL; Fu RH; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  2DEG  MD heterostructure  MBE  photoluminescence  GAN  LUMINESCENCE  PLASMA  GALLIUM NITRIDE