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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 中国材料工程大典—信息功能材料工程 专著 北京:化学工业出版社, 北京, 2006 王占国; 陈立泉; 屠海令 收藏  |  浏览/下载：176/0  |  提交时间：2009/09/19 GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 1149-1153 作者:  刘超 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/23 InGaAlN四元合金的光学性质和低维结构 期刊论文 液晶与显示, 2004, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 5-9 作者:  黎大兵 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23 氢稀释对非晶硅碳(a-SiC:H)合金薄膜生长和光学特性的影响 期刊论文 中国科学. E辑，技术科学, 2004, 卷号: 34, 期号: 0, 页码: 5 胡志华; 廖显伯; 刁宏伟; 孔光临; 曾湘波; 徐艳月 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23 C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征 期刊论文 半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 979 作者:  王玉田 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23 预注入对Si_（1-x）C_x合金形成的影响 期刊论文 物理学报, 2001, 卷号: 50, 期号: 7, 页码: 1329 作者:  王玉田 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/23 不同剂量C离子注入Si单晶中Si_(1-x)C_x合金的形成及其特征 期刊论文 物理学报, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2210 作者:  王玉田 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23 C离子注入Si中Si_(1-x)C_x合金的形成及其稳定性 期刊论文 科学通报, 2000, 卷号: 45, 期号: 16, 页码: 1709 作者:  王玉田 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/11/23