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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
专利 [2]
期刊论文 [1]
发表日期
1993 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
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硅化物形成条件对Pt硅化物/硅势垒的影响
期刊论文
红外与毫米波学报, 1993, 卷号: 12, 期号: 5, 页码: 392
丁孙安
;
许振嘉
收藏
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浏览/下载:37/0
  |  
提交时间:2010/11/23
沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
郑柳
;
孙国胜
;
张峰
;
刘兴昉
;
王雷
;
赵万顺
;
闫果果
;
董林
;
刘胜北
;
刘斌
;
田丽欣
;
曾一平
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2014/11/24
沟槽型MOS势垒肖特基二极管
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
郑柳
;
孙国胜
;
张峰
;
刘兴昉
;
王雷
;
赵万顺
;
闫果果
;
董林
;
刘胜北
;
刘斌
;
田丽欣
;
曾一平
收藏
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浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2014/11/24
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