CORC

在结果中检索

CORC

浏览/检索结果: 共31条，第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
常关型GaN HEMT器件制备研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
黄宇亮
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2016/06/06
硫属铋系纳米结构材料合成及光电性质 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
李仁雄
收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2015/05/11
金属诱导晶化多晶硅薄膜及作为薄膜晶体管的特性研究 学位论文
博士后, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
彭尚龙
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2014/08/14
硅基高迁移率III-V族半导体材料与晶体管研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2014
周旭亮
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2014/05/28
GaN 基 HEMT材料的新结构研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
毕杨
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2012/05/30
锑化物高电子迁移率晶体管的材料与器件研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
李彦波
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/06/18
锑化物HEMT器件研究进展 期刊论文
功能材料与器件学报, 2011, 卷号: 17, 期号: 1, 页码: 29-35
作者:  张杨;  李彦波;  刘超
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2011/08/16
不同量子阱宽度的InP基In_(0.53)GaAs/In_(0.52)AlAs高电子迁移率晶体管材料二维电子气的性能研究 期刊论文
物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 8, 页码: 4955-4959
高宏玲; 李东临; 周文政; 商丽燕; 王宝强; 朱战平; 曾一平
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23
双δ掺杂In_(0.65)Ga_(0.35)As/In_(0.52)Al_(0.48)As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究 期刊论文
物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 7, 页码: 4143-4147
周文政; 林铁; 商丽燕; 黄志明; 朱博; 崔利杰; 高宏玲; 李东临; 郭少令; 桂永胜; 褚君浩
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23
纳米半导体技术 专著
北京:化学工业出版社, 北京, 2006
作者:  叶小玲
收藏  |  浏览/下载：340/0  |  提交时间：2009/09/19

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace