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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2003 [1]
2000 [1]
1998 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
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Microstructure characterization of transition films from amorphous to nanocrocrystalline silicon
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 1-2, 页码: 27-32
Xu YY
;
Liao XB
;
Kong GL
;
Zeng XB
;
Hu ZH
;
Diao HW
;
Zhang SB
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  |  
浏览/下载:56/0
  |  
提交时间:2010/08/12
nanostructures
growth from vapor
chemical vapor deposition processes
semiconducting silicon
A-SI-H
MICROCRYSTALLINE SILICON
EXCITATION-FREQUENCY
HYDROGENATED SILICON
DEPOSITION
PLASMA
TEMPERATURE
Microstructures of microcrystalline silicon thin films prepared by hot wire chemical vapor deposition
期刊论文
thin solid films, 2000, 卷号: 360, 期号: 1-2, 页码: 205-212
Zhu M
;
Guo X
;
Chen G
;
Han H
;
He M
;
Sun K
收藏
  |  
浏览/下载:101/0
  |  
提交时间:2010/08/12
microstructures
microcrystalline silicon
hot wire chemical vapor deposition
AMORPHOUS-SILICON
HYDROGEN
PLASMA
SPECTRA
GROWTH
SILANE
The growth of an AlGaN/GaN modulation-doped heterostructure by NH3 source molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 1-2, 页码: 93-96
Zhang JP
;
Sun DZ
;
Li XB
;
Wang XL
;
Fu RH
;
Kong MY
收藏
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浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2010/08/12
GaN
2DEG
MD heterostructure
MBE
photoluminescence
GAN
LUMINESCENCE
PLASMA
GALLIUM NITRIDE
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