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半导体研究所 [46]
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学科主题:半导体材料
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中红外波段GaSb基激光器的材料生长与器件制备
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
柴小力
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2017/05/31
窄带隙半导体
锑化镓量子阱
中红外激光器
分子束外延
DBR光栅
硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
刘广政
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浏览/下载:497/0
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提交时间:2016/06/03
GaAs/Si
GaAs/Ge
两步法
四步法
量子点
激光器
GaSb单晶衬底表面形貌及残留缺陷研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
程雨
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2015/05/29
锑化镓(GaSb)
化学机械抛光
二次离子质谱(SIMS)
XPS
表面形貌
应变补偿和生长停顿对InAs/InAlGaAs/InP纳米结构形貌的影响
期刊论文
中国科学. 物理学, 力学, 天文学, 2012, 卷号: 42, 期号: 3, 页码: 237-241
杨新荣,徐波,赵国晴,周晓静,王占国
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2013/05/29
InAlN薄膜MOCVD外延生长研究
期刊论文
半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 8, 页码: 609-613
作者:
刘乃鑫
;
闫建昌
;
魏同波
;
贠利君
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2012/07/17
周期换向脉冲电沉积-硒化法制备铜铟镓硒薄膜
期刊论文
功能材料与器件学报, 2011, 卷号: 17, 期号: 2, 页码: 187-194
作者:
曲胜春
;
刘孔
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/07/17
蓝宝石图形衬底上GaN低温缓冲层的研究
期刊论文
半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 10, 页码: 760-764
作者:
吴猛
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2012/07/16
MOCVD生长温度对氧化锌薄膜结构及发光性能的影响
期刊论文
人工晶体学报, 2010, 卷号: 39, 期号: 1, 页码: 34-38,43
作者:
杨少延
;
魏鸿源
;
焦春美
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2011/08/16
InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析
期刊论文
人工晶体学报, 2010, 卷号: 39, 期号: 4, 页码: 878-882
作者:
王俊
;
王俊
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2011/08/16
多孔硅的孔隙对硫化锌/多孑L硅光电性质的影响
期刊论文
激光技术, 2010, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 766-769
作者:
梁德春
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2011/08/16
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