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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 In_xGa_(1-x)As/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化 期刊论文 半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 6, 页码: 417 王晓亮; 孔殿照; 孔梅影; 侯洵; 曾一平 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2010/11/23 低阈值1.3μm InGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP-MOCVD生长 期刊论文 半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 218 作者:  王玉田;  王圩;  朱洪亮 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23 In_(0.63)Ga_(0.37)As/InP压应变量子阱GSMBE生长及特性研究 期刊论文 红外与毫米波学报, 1997, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 1 王晓亮; 孙殿照; 孔梅影; 侯洵; 曾一平; 李建平; 李灵霄; 朱世荣 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23 低压MOCVD外延生长InGaAsP/InP应变量子阱材料与器件应用 期刊论文 半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 396 作者:  陈良惠 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/11/23 InGaAs/InP应变量子阱及(AlGa)InP可见光激光器结构材料的GSMBE生长及特性研究 学位论文 博士, 西安: 中国科学院研究生院, 1995 王晓亮 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/12/30