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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electrical properties and electroluminescence of 4H-SiC p-n junction diodes 期刊论文 journal of rare earths, 2004, 卷号: 22 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 275-278 Sun, GS; Zhang, YX; Gao, X; Wang, L; Zhao, WS; Zeng, YP; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：87/0  |  提交时间：2010/03/17 4H-SiC   Graded tensile-strained bulk InGaAs/InP superluminescent diode with very wide emission spectrum 期刊论文 chinese optics letters, 2004, 卷号: 2, 期号: 6, 页码: 359-361 作者:  Wang Wei;  Wang Wei 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23 Strain accommodation of 3C-SiC grown on hydrogen-implanted Si (001) substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 257, 期号: 3-4, 页码: 321-325 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/08/12 substrate  heteroepitaxy  low pressure chemical vapor deposition  semiconducting silicon carbide  COMPLIANT SUBSTRATE  CRITICAL THICKNESS  SILICON  RELAXATION  MECHANISM  DEFECTS  LAYERS   Competition between band gap and yellow luminescence in undoped GaN grown by MOVPE on sapphire substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 222, 期号: 1-2, 页码: 96-103 Xu HZ; Bell A; Wang ZG; Okada Y; Kawabe M; Harrison I; Foxon CT 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 gallium nitride  metalorganic vapor-phase epitaxy  photoluminescence  yellow luminescence  N-TYPE GAN  PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY  THIN-FILMS  DOPED GAN  DEEP LEVELS  ORIGIN  PHOTOLUMINESCENCE  DEPENDENCE  VACANCIES  EPITAXY   Effect of in situ thermal treatment during growth on crystal quality of GaN epilayer grown on sapphire substrate by MOVPE 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 222, 期号: 1-2, 页码: 110-117 Xu HZ; Takahashi K; Wang CX; Wang ZG; Okada Y; Kawabe M; Harrison I; Foxon CT 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 gallium nitride  metalorganic vapor-phase epitaxy (MOVPE) annealing  crystal quality  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  BUFFER LAYER  PHASE EPITAXY  DEPENDENCE  DEFECTS