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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interband and intraband photocurrent of self-assembled InAs/InAlAs/InP nanostructures 期刊论文 nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 2785-2789 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/04/11 DOT INFRARED PHOTODETECTORS  INAS/GAAS QUANTUM DOTS  ROOM-TEMPERATURE  SPECTROSCOPY  PHOTOCONDUCTIVITY  HETEROSTRUCTURES  TRANSITIONS  LASERS  WELLS  INP   Structure and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots with In0.15Ga0.85As underlying layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 395-400 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  molecular beam epitaxy  nanomaterials  quantum dots  semiconducting III-V materials  1.3 MU-M  TEMPERATURE-DEPENDENCE  EXCITED-STATES  INXGA1-XAS  GROWTH  LASERS  INP   ON THE DANGLING-BOND RELAXATION PROBLEM IN HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON 期刊论文 solid state communications, 1994, 卷号: 91, 期号: 6, 页码: 447-449 KAZANSKII AG; MAO Y; KONG GL 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/15 A-SI-H