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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
会议论文 [5]
发表日期
2006 [1]
2003 [1]
2002 [2]
2000 [1]
学科主题
半导体材料 [5]
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学科主题:半导体材料
内容类型:会议论文
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Hydrogenated p-type nanocrystalline silicon in amorphous silicon solar cells
会议论文
21st international conference on amorphous and nanocrystalline semiconductors, lisbon, portugal, sep 04-09, 2005
Hu ZH (Hu Zhihua)
;
Liao XB (Liao Xianbo)
;
Diao HW (Diao Hongwei)
;
Cai Y (Cai Yi)
;
Zhang SB (Zhang Shibin)
;
Fortunato E (Fortunato Elvira)
;
Martins R (Martins Rodrigo)
收藏
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浏览/下载:520/27
  |  
提交时间:2010/03/29
silicon
Polymorphous silicon nanowires synthesized by plasma-enhanced chemical vapor deposition
会议论文
symposium on quantum confined semiconductor nanostructures held at the 2002 mrs fall meeting, boston, ma, dec 02, 2001-dec 05, 2002
Zeng XB
;
Liao XB
;
Diao HW
;
Hu ZH
;
Xu YY
;
Zhang SB
;
Chen CY
;
Chen WD
;
Kong GL
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2010/10/29
LASER-ABLATION
SEMICONDUCTOR NANOWIRES
GROWTH
MECHANISM
EVAPORATION
DIAMETER
WIRES
Impact of wide bandgap p-type nc-Si on the performance of a-Si solar cells
会议论文
international conference on material for advanced technologies, singapore, singapore, jul 01-06, 2001
Deng X
;
Wang W
;
Han S
;
Povolny H
;
Du W
;
Liao X
;
Xiang X
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2010/11/15
In situ doping of 3C-SiC grown on (0001) sapphire substrates by LPCVD
会议论文
international conference on silicon carbide and related materials, tsukuba, japan, oct 28-nov 02, 2001
Sun GS
;
Luo MC
;
Wang L
;
Zhu SR
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Lin LY
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2010/11/15
3C-SiC
in-situ doping
low-pressure CVD
sapphire substrate
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
COMPETITION EPITAXY
In situ annealing treatment and In-doping of GaN epilayers grown by MOVPE
会议论文
10th international conference on metalorganic vapor phase epitaxy (icmovpe-x), sapporo, japan, jun 05-09, 2000
Lu DC
;
Wang CX
;
Yuan HR
;
Liu XL
;
Wang XH
收藏
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浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2010/11/15
GaN
annealing treatment
In-doping
MOVPE
photoluminescence
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
BUFFER LAYER
FILMS
SAPPHIRE
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