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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    内容类型：会议论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD 会议论文 international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007 Sun, GS; Zhao, YM; Wang, L; Wang, L; Zhao, WS; Liu, XF; Ji, G; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/03/09 in-situ doping  boron  aluminum  memory effects  hot-wall LPCVD  4H-SiC   Influence of the rapid thermal annealing on the properties of thin a-Si films 会议论文 2nd international materials symposium, caparica, portugal, apr 14-16, 2003 Nedev N; Beshkov G; Fortunato E; Georgiev SS; Ivanov T; Raniero L; Zhang SB; Martins R 收藏  |  浏览/下载：25/6  |  提交时间：2010/10/29 Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient 会议论文 iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002 Wang QY; Wang JH; Deng HF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/15 neutron irradiation  annealing  defects in silicon  SPECTRA