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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
会议论文 [6]
发表日期
2004 [1]
2002 [1]
2001 [1]
2000 [3]
学科主题
半导体材料 [6]
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学科主题:半导体材料
内容类型:会议论文
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Microstructural and compositional characteristics of GaN films grown on a ZnO-buffered Si(111) wafer
会议论文
international wuhan symposium on advanced electron microscopy (iwsaem), wuhan, peoples r china, oct 17-21, 2003
Luo XH
;
Wang RM
;
Zhang XP
;
Zhang HZ
;
Yu DP
;
Luo MC
收藏
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浏览/下载:18/1
  |  
提交时间:2010/10/29
transmission electron microscopy
electron energy loss spectroscopy
molecular beam epitaxy
gallium nitride
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
EPITAXY
LAYER
In situ doping of 3C-SiC grown on (0001) sapphire substrates by LPCVD
会议论文
international conference on silicon carbide and related materials, tsukuba, japan, oct 28-nov 02, 2001
Sun GS
;
Luo MC
;
Wang L
;
Zhu SR
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2010/11/15
3C-SiC
in-situ doping
low-pressure CVD
sapphire substrate
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
COMPETITION EPITAXY
Structural evaluation of polycrystalline silicon thin films by hot-wire-assisted PECVD
会议论文
1st international conference on cat-cvd (hot wire cvd) process, kanazawa, japan, nov 14-17, 2000
Feng Y
;
Zhu M
;
Liu F
;
Liu J
;
Han H
;
Han Y
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/15
poly-Si
structure
hot-wire
plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MICROCRYSTALLINE SILICON
HYDROGEN
In situ annealing treatment and In-doping of GaN epilayers grown by MOVPE
会议论文
10th international conference on metalorganic vapor phase epitaxy (icmovpe-x), sapporo, japan, jun 05-09, 2000
Lu DC
;
Wang CX
;
Yuan HR
;
Liu XL
;
Wang XH
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/15
GaN
annealing treatment
In-doping
MOVPE
photoluminescence
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
BUFFER LAYER
FILMS
SAPPHIRE
Raman study on residual strains in thin 3C-SiC epitaxial layers grown on Si(001)
会议论文
1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999
Zhu JJ
;
Liu SY
;
Liang JW
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2010/11/15
Raman spectrum
thin film
chemical vapor deposition
SCATTERING
SI
MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices
会议论文
international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000
作者:
Zhao DG
;
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/10/29
MOCVD
GaN
InGaN
cubic
LED
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GALLIUM NITRIDE
PHASE EPITAXY
INGAN FILMS
ELECTROLUMINESCENCE
ZINCBLENDE
WURTZITE
MBE
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