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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    内容类型：会议论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The influence of thickness on properties of GaN buffer layer and heavily Si-doped GaN grown by metalorganic vapor-phase epitaxy 会议论文 2nd international conference on nitride semiconductors (icns 97), tokushima city, japan, oct 27-31, 1997 Liu XL; Wang LS; Lu DC; Wang D; Wang XH; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/15 MOVPE  GaN  GaN Buffer  heavy Si-doping