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科研机构
半导体研究所 [11]
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期刊论文 [11]
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学科主题
光电子学 [11]
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学科主题:光电子学
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Suppression of hole leakage by adding a hole blocking layer prior to the first quantum barrier in GaN-based near-ultraviolet laser diodes
期刊论文
Phys. Status Solidi A, 2017, 卷号: 214, 期号: 10, 页码: 1700320
作者:
Yao Xing
;
De Gang Zhao
;
De Sheng Jiang
;
Xiang Li
;
Feng Liang
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2018/07/11
Fabrication of246 nm back-illuminated AlGaN solar-blind ultraviolet p-i-n photodetector
期刊论文
hongwai yu jiguang gongcheng/infrared and laser engineering, 2011, 卷号: 40, 期号: 1, 页码: 32-35
Yan, Tingjing
;
Chong, Ming
;
Zhao, Degang
;
Zhang, Shuang
;
Chen, Lianghui
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/06/14
Alloying
Fabrication
Gallium
Heterojunctions
Optoelectronic devices
Pixels
A practical route towards fabricating GaN nanowire arrays
期刊论文
crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 19, 页码: 5929-5935
Liu, JQ
;
Huang, J
;
Gong, XJ
;
Wang, JF
;
Xu, K
;
Qiu, YX
;
Cai, DM
;
Zhou, TF
;
Ren, GQ
;
Yang, H
收藏
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浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2012/02/06
LIGHT-EMITTING-DIODES
EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
WELL NANOROD ARRAYS
ULTRAVIOLET-LIGHT
GROWTH
NANOGENERATORS
DISLOCATIONS
BRIGHTNESS
LAYERS
A new method to measure the carrier concentration of p-GaN
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 3, 页码: article no.37804
Zhou M
;
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:66/7
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提交时间:2011/07/05
p-GaN
carrier concentration measurement
ultraviolet photodetector
LASER-DIODES
FILMS
Near-Infrared Femtosecond Laser for Studying the Strain in Si1-xGex Alloy Films via Second-Harmonic Generation
期刊论文
ieee photonics journal, 2010, 卷号: 2, 期号: 6, 页码: 974-980
Zhao JH (Zhao Ji-Hong)
;
Cheng BW (Cheng Bu-Wen)
;
Chen QD (Chen Qi-Dai)
;
Su W (Su Wen)
;
Jiang Y (Jiang Ying)
;
Chen ZG (Chen Zhan-Guo)
;
Jia G (Jia Gang)
;
Sun HB (Sun Hong-Bo)
收藏
  |  
浏览/下载:85/0
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提交时间:2010/12/12
CUBIC CENTROSYMMETRIC CRYSTALS
3RD-HARMONIC GENERATION
PHENOMENOLOGICAL THEORY
LAYERS
SUPERLATTICES
HETEROSTRUCTURES
SUSCEPTIBILITY
SPECTROSCOPY
DEFORMATION
REFLECTION
Role of Ga vacancies in enhancing the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: art. no. 057802
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Zhang S (Zhang Shuang)
;
Liu WB (Liu Wen-Bao)
;
Hao XP (Hao Xiao-Peng)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Yang H (Yang Hui)
;
Wei L (Wei Long)
收藏
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浏览/下载:73/2
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提交时间:2010/05/24
Ga vacancies
MOCVD
GaN
Schottky barrier photodetector
REVERSE-BIAS LEAKAGE
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
P-N-JUNCTIONS
POSITRON-ANNIHILATION
DIODES
FILMS
Effects of the electrical signals generated in passive sections of SG-DBR lasers
期刊论文
optics communications, 2010, 卷号: 283, 期号: 24, 页码: 5156-5160
作者:
Wang LX
收藏
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浏览/下载:54/8
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提交时间:2011/07/05
Photocurrent
Photodetector
Photovoltaic effect
Sampled-grating distributed Bragg reflector laser
TUNING RANGE
White light emission from ultraviolet laser diode
期刊论文
laser physics, 2009, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 403-406
Xu Y
;
Hu H
;
Zhuang W
;
Song G
;
Li Y
;
Chen L
收藏
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浏览/下载:243/57
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提交时间:2010/03/08
EMITTING-DIODES
Phosphor-conversion white light using InGaN ultraviolet laser diode
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 2, 页码: art. no. 021129
Xu Y
;
Chen LH
;
Li YZ
;
Song GF
;
Wang YP
;
Zhuang WD
;
Long Z
收藏
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浏览/下载:45/1
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提交时间:2010/03/08
EMITTING-DIODES
Influence of defects in n(-)-GaN layer on the responsivity of Schottky barrier ultraviolet photodetectors
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 6, 页码: art.no.062106
作者:
Li XY
;
Jiang DS
;
Yang H
;
Zhu JJ
;
Zhang SM
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
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