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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Kinetically controlled InN nucleation on GaN templates by metalorganic chemical vapour deposition 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 14, 页码: art. no. 145410 作者:  Zhang SM;  Yang H;  Yang H;  Wang YT;  Zhu JJ 收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  QUANTUM DOTS  BAND-GAP  GROWTH  SURFACES   The influence of growth temperature and input V/III ratio on the initial nucleation and material properties of InN on GaN by MOCVD 期刊论文 semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: art. no. 055001 作者:  Yang H;  Jiang DS;  Zhao DG;  Zhang SM;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：88/41  |  提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ELECTRON-TRANSPORT  BAND-GAP  FILMS  SAPPHIRE   Lateral phase separation in AlGaN grown on GaN with a high-temperature AIN interlayer 期刊论文 applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 12, 页码: art.no.121914 作者:  Yang H;  Yang H;  Wang H;  Jiang DS;  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：106/19  |  提交时间：2010/03/17 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION