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Temperature dependence of photoluminescence spectra for green ligh emission from InGaN/GaN multiple wells 期刊论文
optics express, 2015, 卷号: 23, 期号: 12, 页码: 15935
W. Liu; D. G. Zhao; D. S. Jiang; P. Chen; Z. S. Liu; J. J. Zhu; M. Shi; D. M.Zhao; X. Li; J. P. Liu; S. M. Zhang; H. Wang; H. Yang; Y. T. Zhang; G. T.Du
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2016/03/23
The investigation on carrier distribution in InGaN/GaN multiple quantum well layers 期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.93117
作者:  Yang H;  Zhu JH;  Wang H;  Zhang SM;  Yang H
收藏  |  浏览/下载：49/3  |  提交时间：2011/07/05
Highly efficient 1.53 mu m luminescence in ErxYb2-xSi2O7 thin films grown on Si substrate 期刊论文
materials letters, 2011, 卷号: 65, 期号: 5, 页码: 860-862
Zheng J; Tao YL; Wang W; Zhang LZ; Zuo YH; Xue CL; Cheng BW; Wang QM
收藏  |  浏览/下载：65/3  |  提交时间：2011/07/05
Efficient 1.53 mu m emission and energy transfer in Si/Er-Si-O multilayer structure 期刊论文
materials research bulletin, 2011, 卷号: 46, 期号: 2, 页码: 262-265
作者:  Xue CL
收藏  |  浏览/下载：63/4  |  提交时间：2011/07/05
Size-dependent electroluminescence from Si quantum dots embedded in amorphous SiC matrix 期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 6, 页码: 64322
Rui YJ; Li SX; Xu J; Song C; Jiang XF; Li W; Chen KJ; Wang QM; Zuo YH
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/02/06
Structural and electronic properties of Si nanocrystals embedded in amorphous SiC matrix 期刊论文
journal of alloys and compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 9, 页码: 3963-3966
Song C; Rui YJ; Wang QB; Xu J; Li W; Chen KJ; Zuo YH; Wang QM
收藏  |  浏览/下载：54/6  |  提交时间：2011/07/05
Optical properties of InN rods on sapphire grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 138-141
作者:  Zhang SM
收藏  |  浏览/下载：58/1  |  提交时间：2011/07/05
Study of GaN epilayers growth on freestanding Si cantilevers 期刊论文
solid-state electronics, 2010, 卷号: 54, 期号: 1, 页码: 4-7
Chen J; Wang X; Wu AM; Zhang B; Wang X; Wu YX; Zhu JJ; Yang H
收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2010/04/04
Optical properties of light-hole excitons in GaN epilayers 期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 11, 页码: article no.116103
Zhang F; Xu SJ; Ning JQ; Zheng CC; Zhao DG; Yang H; Che CM
收藏  |  浏览/下载：45/3  |  提交时间：2011/07/05
An experimental study about the influence of well thickness on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文
journal of alloys and compounds, 2010, 卷号: 489, 期号: 2, 页码: 461-464
作者:  Wang YT;  Zhao DG;  Zhang SM;  Yang H;  Jiang DS
收藏  |  浏览/下载：146/11  |  提交时间：2010/04/04

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