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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2010 [1]
2008 [1]
2007 [2]
2006 [1]
1999 [1]
学科主题
光电子学 [6]
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学科主题:光电子学
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An experimental study about the influence of well thickness on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2010, 卷号: 489, 期号: 2, 页码: 461-464
作者:
Wang YT
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Jiang DS
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浏览/下载:146/11
  |  
提交时间:2010/04/04
Nitride materials
Crystal growth
X-ray diffraction
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
LIGHT-EMITTING-DIODES
PIEZOELECTRIC FIELDS
LASER-DIODES
DEPENDENCE
RECOMBINATION
POLARIZATION
DYNAMICS
GROWTH
MOCVD
The effect of growth temperature on structural quality of GaN/AlN quantum wells by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 10, 页码: art. no. 105106
Ma, ZF
;
Zhao, DG
;
Wang, YT
;
Jiang, DS
;
Zhang, SM
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Sun, BJ
;
Yang, H
;
Liang, JW
收藏
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浏览/下载:51/3
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提交时间:2010/03/08
INTERSUBBAND ABSORPTION
MU-M
ALGAN
GAN
INTERLAYERS
MOVPE
ALN
Influence of the AlN interlayer crystal quality on the strain evolution of GaN layer grown on Si (111)
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 1, 页码: art.no.011914
Liu W
;
Zhu JJ
;
Jiang S
;
Yang H
;
Wang JF
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Effects of rapid thermal annealing on the emission properties of highly uniform self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 mu m
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 11, 页码: art.no.111912
Yang T (Yang, Tao)
;
Tatebayashi J (Tatebayashi, Jun)
;
Aoki K (Aoki, Kanna)
;
Nishioka M (Nishioka, Masao)
;
Arakawa Y (Arakawa, Yasuhiko)
收藏
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Influence of indium-tin-oxide thin-film quality on reverse leakage current of indium-tin-oxide/n-GaN Schottky contacts
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: art.no.033503
Wang RX (Wang R. X.)
;
Xu SJ (Xu S. J.)
;
Djurisic AB (Djurisic A. B.)
;
Beling CD (Beling C. D.)
;
Cheung CK (Cheung C. K.)
;
Cheung CH (Cheung C. H.)
;
Fung S (Fung S.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Tao XM (Tao X. M.)
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
N-TYPE GAN
ELECTRICAL-PROPERTIES
BIAS LEAKAGE
DIODES
OXYGEN
Native-oxidized InAlAs blocking layer buried heterostructure InGaAsP-InP MQW laser for high-temperature operation
期刊论文
ieee photonics technology letters, 1999, 卷号: 11, 期号: 1, 页码: 3-5
Jie WZ
;
Jin CS
;
Fan Z
;
Jie WX
;
Wei W
;
Han WR
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
CVD
insulation
leakage currents
oxidation
quantum-well lasers
semiconductor heterojunctions
thermal factors
DIODES
LEAKAGE CURRENT
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