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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of AlGaN/AlN Stacked Interlayers on GaN Growth on Si (111) 期刊论文 chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: art. no. 038103 Wang H (Wang Hui); Liang H (Liang Hu); Wang Y (Wang Yong); Ng KW (Ng Kar-Wei); Deng DM (Deng Dong-Mei); Lau KM (Lau Kei-May) 收藏  |  浏览/下载：96/3  |  提交时间：2010/04/22 VAPOR-PHASE EPITAXY  TEMPERATURE ALN INTERLAYERS  CRACK-FREE GAN  STRESS-CONTROL  SI(111)  DEPOSITION  REDUCTION  THICKNESS  NITRIDE  LAYERS   High-temperature AlN interlayer for crack-free AlGaN growth on GaN 期刊论文 journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: art. no. 043516 Sun, Q; Wang, JT; Wang, H; Jin, RQ; Jiang, DS; Zhu, JJ; Zhao, DG; Yang, H; Zhou, SQ; Wu, MF; Smeets, D; Vantomme, A 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2010/03/08 STRESS  SI(111)  REDUCTION  THICKNESS   Reduction of tensile stress in GaN grown on Si(111) by inserting a low-temperature AlN interlayer 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 3-4, 页码: 316-321 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：192/51  |  提交时间：2010/03/09 X-ray diffraction   MOCVD growth of high quality crack-free GaN on Si(III) substrates 会议论文 6th chinese optoelectronics symposium, kowloon, peoples r china, sep 12-14, 2003 Zhang BS; Zhu JJ; Wang YT; Yang H 收藏  |  浏览/下载：17/3  |  提交时间：2010/10/29 VAPOR-PHASE EPITAXY  LAYERS  ALN